技术编号：32829736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及第三代半导体碳化硅材料外延设备领域，尤其涉及一种能够实现多路独立控制的碳化硅外延生长管路系统。背景技术.第三代半导体碳化硅外延生长通常使用化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称cvd)方式，其中，由三氯氢硅(tcs)负责提供外延生长所需的硅元素，由三甲基铝(tma)负责提供外延生长中p型掺杂所需的铝元素。三氯氢硅(tcs)、三甲基铝(tma)在常温状态下均为液态，通常状态下tcs、tma作为液相源是无法直接通入炉腔内使用的，目前通用的方案是将载...
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