技术编号：32833152
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及单晶生长的技术领域，特别是涉及一种换热装置。背景技术.随着光伏发电技术的发展，作为基础材料之一的单晶硅片需求量越来越大。单晶硅在生长时，结晶界面附近会产生结晶潜热，而通过提高结晶潜热的散热效果，可以提高单晶硅的生长速度。.现有的换热装置通常进行表面发黑以及喷砂处理，以增强换热装置表面的吸热能力。然而，单晶硅棒所散发的热量辐射至换热装置的内表面之后，只有部分热量被吸收，其他部分热量容易被发射，导致换热装置内部吸收的热量较少，换热装置的吸热能力较差，不利于提高单晶硅棒的生长速度...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。