技术编号：3284067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非金属材料的制备方法，具体为。 背景技术高纯砷作为第三代半导体材料，以其优越的理化性能，通过掺杂于硅材料中及化 合成砷化镓等形式，突破了硅材料的信息容量有限，运算速度有限，工作能耗较大，大容量 需大体积，亮度与色彩不理想等等极限，已被广泛应用于信息、通信、光电子大规模集成电 路，高清、高光大屏幕显示器，遥感、探测、元红外自动控制，智能化，硫化光纤，合光材料，医 药、医疗设备，航天设备、航天航空、军事装备等产业领域，并被世界各国定位为支撑高科技...
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