技术编号：3290495
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种新型的高容量储氢薄膜及其制备方法。储氢薄膜为有Pd覆盖层的MgxY100-x合金薄膜（其中10≤x≤90）。其制备方法为以Mg和Y为靶材，在基体上通过磁控溅射共溅射的方法制备Mg-Y合金薄膜，并进一步在Mg-Y合金薄膜上溅射一层Pd层以保护Mg免遭氧化并催化氢的解离。实验结果表明此方法制备的Pd/Mg78Y22薄膜不用活化即能获得1590.3mAh/g的电化学放电容量，显著高于纯镁薄膜的放电容量，并且具有良好的吸放氢动力学特性。合金薄膜在3...
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