技术编号:32953055
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种增强型gan功率器件的制造方法技术领域.本发明涉及晶体管技术领域,尤其涉及一种增强型gan功率器件的制造方法。背景技术.gan基材料具有禁带宽度大、击穿场强高、极化系数高、电子迁移率和电荷饱和迁移率高的性能优势,是制备新一代高性能电力电子器件的优选材料,具有重要的应用前景。algan/gan异质结界面处由极化效应产生的二维电子气所制备的高电子迁移率晶体管是目前主要应用的平面结构gan基功率器件,兼具高耐压、高功率密度、高工作速度等优势。然而由于异质结界面处的二维电子气存在,在实际应用中需...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。