技术编号:32969522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法。背景技术.在太阳能电池的制作过程中,往往有多个工序为去除工艺。例如,制作pn结所产生的氧化层,制作钝化接触结构所产生的绕镀层,均需要通过去除工艺去除。.先去除绕镀层,后去除氧化层的过程中,在先的去除工艺容易在硅基底上形成残留物。这些硅基底上的残留物去除难度较大,会影响硅基底质量和工作效率。发明内容.本发明的目的在于提供一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法,以便于去除硅基底表面携带的残留物。.第一方面...
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