技术编号：3297404
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料，包括底电极和铁酸铋薄膜，所述底电极是镍酸镧薄膜，所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法，用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极，采用固相法制备铁酸铋薄膜；在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜，然后快速退火，重复以上溅射过程6-8次；最后慢退火处理，得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好，表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。