技术编号:32994208
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种鳍式场效晶体管(finfet)半导体元件及其制作方法。背景技术.鳍式场效晶体管(finfet)是非平面的多栅极晶体管,具有从栅极垂直延伸并形成晶体管的源极和漏极的“鳍”。多个finfet可以彼此耦合以提供集成电路元件。导电层可以形成在鳍之上以在相邻的finfet之间提供局部互连。.使用局部互连可实现更高的封装密度和更低的阻值rsd。然而,局部互连的槽接触的形成增加了寄生边缘电容(cof),这显著降低了电路速度。因此,本领域需要提供一种改进的半导体元...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。