技术编号:33126289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术.随着半导体技术的发展,出现了微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem,mems)器件以及功率半导体器件(power electronic device),在mems 器件以及功率半导体器件的制备过程中,需要制备金属层作为器件的电极以及金属连接线等等。传统技术中,通常采用金属剥离(lift-off)工艺制备金属层,然而,金属剥离工艺需要用到专门的光刻胶材料,同时还需要用到专用的光刻胶剥离...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。