技术编号：3318498
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺，包括工艺包括首先，对靶面、真空室、基片进行清洗；然后，将清洗后的基片放置在预设位置；然后，检测基片与靶材的距离，获得第一距离值；最后，判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作，实现了ITO镀膜工艺设计合理，对基片与靶材之间的距离进行合理的控制，对真空室内的气体组成含量进行有效的控制，靶面、真空室、基片进清洗效果较好，减少了膜面放电，...
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