技术编号:33195431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种提高硅粉利用率制备正硅酸乙酯的方法。背景技术.随着半导体工艺的不断发展,用作栅氧电介质、器件隔离和金属导电层间绝缘介质的二氧化硅氧化膜的要求在不断提升。高纯正硅酸乙酯作为化学气相沉积法制备二氧化硅氧化膜的主要原料,因其优良的工艺使用稳定性、出色的沉积速率和使用安全性,正在被广泛使用。.目前正硅酸乙酯的制备的方法有很多,但主流的工业化路线只有两条,即四氯化硅间接法和硅粉直接法。我国大多数厂家均采用四氯化硅间接法,即用乙醇和四氯化硅反应制备正硅酸乙酯的方...
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