技术编号:33202919
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.动态随机存储器(dynamic random access memory,dram)是计算机等电子设备中常用的半导体结构,其由多个存储单元构成,每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接,字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭,从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息,或者将数据信息写入到电容器中。.但是,对于动态随机存储器等半导体结构中的pmo...
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