技术编号：3324707
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，首先以Cr粉、Si粉、Ni粉、Mo粉和W粉为原料，通过粉末冶金法制备Cr-Si基靶材，在中频真空冶炼炉中分别炼制Cr-Si-Ni靶材、Cr-Si-Ni-Mo靶材和Cr-Si-Ni-W靶材；再将靶材于磁控溅射镀膜机上制备电阻器高阻膜，并将高阻膜调至阻值为249kΩ，±0.5％；再以纳米二氧化硅增强型酚醛-环氧树脂复合涂料进行封装。本发明在高温、高湿条件下的电阻变化率为0.03％～0.16％。专利说明基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐...
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