技术编号:33250607
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请实施例涉及半导体制造技术,涉及但不限于一种半导体结构及其制造方法。背景技术.对于存储器、芯片等半导体器件,通常在半导体衬底上采用多层结构来实现。半导体衬底表面的各层电性连接通过金属线来实现,而不同层的金属线则通过通孔连接。通孔的阻值是影响连接性能的重要参数,因此,通常在制造过程中形成测试单元(test-key)用于进行通孔的电阻测试。.然而测试单元位于器件外围,周围没有其他图形,容易造成通孔变形,导致测试结果难以反映器件内部通孔的实际阻值。发明内容.有鉴于此,本申请实施例为解决现...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。