技术编号：33293521
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及硅片制作领域，尤其涉及一种单晶硅片清洗装置。背景技术.单晶硅片的加工主要包括切断、外径滚圆、切片、倒角、研磨、腐蚀、清洗等步骤，切片后，硅片表面有机械损伤层，近表面晶体的晶格不完整，而且硅片表面有金属粒子等杂质污染。因此，一般切片后，在制备太阳能电池前，需要对硅片进行化学腐蚀。在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是指腐蚀后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。污染源可以分为三类:一类是分子杂质，包括加工中的一些有机物质；第二类是离子杂质，包括...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。