技术编号:33325358
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。umosfet器件及提高umosfet器件性能的方法技术领域.本发明特别涉及一种β-gao umosfet器件及提高β-gao umosfet器件性能的方法,属于半导体功率器件技术领域。背景技术.近些年来,由于硅技术的基本性能已经接近极限,因此人们对开发基于宽禁带复合半导体的电子器件产生了浓厚的兴趣。β相氧化镓(β-gao)由于具有~.ev的超宽禁带、mv/cm的高临界击穿场强而引起了科研人员的研究热潮。β-gao在实验中已经证明了至少mv/cm的临界场强,超过了ga...
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