技术编号:33325732
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高径深比异孔tsv一次性填充的工艺方法技术领域.本发明涉及一种异孔tsv填充工艺,具体为一种高径深比异孔tsv一次性填充的工艺方法,属于半导体制造技术领域。背景技术.随着半导体领域的发展,对于封装体系的要求逐渐由二维平面结构向三维垂直结构发展。tsv填充技术可实现垂直方向的互联互通,在三维封装方面起到了至关重要的作用;而同层异孔tsv的完全填充,可有效地解决载入芯片与异层芯片之间的功能连接的难题,从而实现封装体系由d体系向d体系的更好地发展。.然而高径深比异孔tsv填充的难点在于:...
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