技术编号：33343976
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及材料领域，尤其涉及一种氧化镧铈固溶体颗粒及其制备方法和应用。背景技术.针对集成电路浅沟槽隔离(shallow trench isolation，sti)的化学机械抛光(chemical mechanical planarization，cmp)工艺，选择合适的抛光材料是关键，传统的硅磨料容易在尺寸较大的sti处形成蝶形缺陷，以二氧化铈作为研磨颗粒的第二代抛光液，具有高选择性和抛光终点自动停止的特性，能够十分有效地解决第一代sti工艺缺点。二氧化铈中的ce具有强氧化作用，对很多...
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