技术编号:33382414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种共栅共源型多通道氮化镓hemt器件及制造方法技术领域.本发明涉及半导体功率器件领域,具体涉及一种共栅共源型多通道氮化镓hemt器件及制造方法。背景技术.algan/gan异质结场效应晶体管(hetero-junction field effect transisitor,hfet)也称高电子迁移率晶体管(high electron mobility transisitor,hemt),又称二维电子气场效应管(two dimensional electron gas field effec...
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