技术编号：33397540
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，具体为一种耦合腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用。背景技术.垂直腔面发射激光器(vcsel)自年问世以来，经历了快速的发展。它具有许多传统边发射激光器难以比肩的优点，例如：体积小、阈值电流低、转换效率高、纵模单一性好、具有圆形的输出光斑、对芯片可进行在片测试，并且容易集成为大面积阵列等。基于这些优点，垂直腔面发射激光器在最近几年里快速占领了半导体激光器市场，在光通信、传感、存储等领域发挥着重要作用。而原子钟是一种先进的计时装置，其精度可以达到每...
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