技术编号:33425886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种在室温下的超稀释hf/氮气喷射清洗半导体晶圆的方法技术领域.本发明涉及半导体清洁技术领域,特别涉及一种在室温下的超稀释hf/氮气喷射清洗半导体晶圆的方法。背景技术.随着半导体器件的集成度越来越高,其几何结构不断缩小,即使在晶片清洗过程中轻微的硅和氧化物蚀刻损失也会对金属氧化物半导体(mos)晶体管的特性产生负面影响。在常规rca清洗过程中使用高度稀释的化学品,以尽量减少硅和氧化物的损失,但很难用这种高度稀释的化学物质将颗粒去除到所需的程度。为了提高颗粒去除效率,通常使用物理辅助手段,例如...
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