技术编号：33427055
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。背景技术.目前，gan基发光二极管已经大量应用于固态照明领域以及显示领域，吸引越来越多的人关注。外延片是发光二极管的主要构成部分，外延片生长中欧姆接触层对发光二极管的发光效率、工作电压和表面平整度有最直接的影响。欧姆接触层采用mg作为p型掺杂，其激活能高，激活效率不到%，低的空穴浓度使其很难形成欧姆接触。.现阶段常用的方法是用高mg掺杂的ingan结构作为欧姆接触层，但是高的mg掺杂会带来表面平整度的下...
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