技术编号：3344486
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。生产含氧化铟的层的方法，通过该方法生产的含氧化铟的层及其用途本发明涉及一种生产包含氧化铟的层的方法，涉及到通过本发明的方法生产的包含氧化铟的层及其用途。与许多的其他方法例如化学气相沉积(CVD)相比，依靠印刷和其他液体沉积方法来生产半导体电子部件能够简化加工エ艺和产生显著更低的生产成本，因为半导体能够在此以连续的エ艺来沉积。此外，在低的加工温度情况下，还开辟了下面的可能性在柔性基材上工作，并且可能(特别是在非常薄的层的情况中，和特别是在氧化物半导体的情况中...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。