技术编号:33474957
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种改善sic mos界面特性的方法技术领域.本发明涉及碳化硅制备领域,具体而言,涉及一种改善sic mos界面特性的方法。背景技术.sic具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高、可热氧化形成膜等优异特性,在高温、高频、强福射、大功率器件领域具有极大应用潜力。sic mosfet是一类重要的功率控制器件,其理论上具有众多优势,但实际制作的性能却很不理想,主要表现在sic mosfet沟道迁移率低、开态电阻大等方面。究其原因,主要是因为电容中sic/sio界面态密度过...
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