技术编号：33479850
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及晶体制备技术领域，尤其涉及一种晶体生长设备。背景技术.在光伏产业、半导体产业中，人造晶体是常用的原材料。例如目前led衬底中广泛使用由泡生法、提拉法或者各种改良泡生法制得的蓝宝石基板，制备所需晶体包括切断籽晶与晶棒的步骤。.目前普遍采用借助切晶工具的人工切割籽晶方式来完成，需要打开晶体炉然后由人员爬至炉体上方，将手臂和切晶工具伸入炉体内之后执行切晶动作。传统的切晶方式存在人员被晶体炉内余热炙烤受伤、切晶工具不慎掉入晶体炉内、晶体炉炉盖开启不便等不利影响，晶体炉开启后处于悬吊状态...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。