技术编号：3351841
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体晶片等被处理体上形成钛膜或氮化钛膜等的 成膜方法和成膜装置，特别是涉及抑制颗粒的产生的成膜方法和成膜 装置。背景技术通常，为了制造半导体集成电路，对半导体晶片等基板反复进行 成膜和图案蚀刻等，以形成多个预期的元件。并且，在半导体集成电 路中，作为连接其中的各元件的配线、实现对各元件的电接触的接点金属、或者作为抑制基板的Si的吸出的对策而使用的阻挡金属，当然需要使用电阻低的材料，还必须使用耐腐蚀性优异的材料。作为能够满足这种要求的材料，具有...
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