技术编号:3352311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。技术背景目前,随着半导体工艺进入深亚微米时代,半导体器件有源区之间的隔离层大 多采用浅沟槽隔离6TI)工艺来制作。现有技术中在晶圆上浅沟槽隔离结构的制作过程示意图请参阅图Ia至图le,形 成方法,包括以下步骤步骤11、请参阅图la,在半导体衬底100上依次形成垫氧化层101和刻蚀终止 层102,其中半导体衬底为硅或者绝缘体上硅;垫氧化层101—般为二氧化硅,采用热氧 化的方法形成;刻蚀终止层102—般为氮化硅层,是一层坚...
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