技术编号:33539885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种spad器件及其制作方法技术领域.本申请涉及半导体制作领域,特别是涉及一种spad器件及其制作方法。背景技术.spad(single photon avalanche diode,单光子雪崩二极管)是一种工作在盖革模式下的雪崩光电二极管,可以在高速情况下探测微弱光信号及精确测量单个光子到达时间,具有内部增益大、灵敏度高、功耗低等特点,广泛应用于各类光电检测器件中。目前,在制作spad器件时,在将spad芯片生产完成后,寄给专门的微透镜厂家来做微透镜(microlens,ml)。由于运输需...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。