技术编号：3359969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发 明总体涉及化学气相沉积领域，而更准确地说，涉及相变方法和在固态前体 (前驱物，precursor)材料的升华中所用的装置。更具体地说，本发明涉及用于使固态前体 材料蒸发而同时约束该固态前体材料的装置。背景技术随着半导体产业的进步，需要利用新的前体材料，该新的前体材料满足严格的薄 膜需求。前体在广泛的应用中用来沉积半导体层。例如，固态前体可包括用于阻挡层、高k/ 低k介电层、金属电极层、互连层、铁电层、氮化硅层、或氧化硅层的成分。此外，固态前体可 包括...
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