技术编号：3360447
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，其中在连铸结晶器 上邻接二次冷却区。背景技术上述的设置顺序在连铸设备中通常是已知的，其中EP 650790B1可以作为示例。由JP 2001062550A也已知在与结晶器邻接的二次冷却区以100-300 (1/min. m2) 的水体积密度实现更强烈的冷却。这种加强的冷却应当导致，连铸坯的外壳体快速生长，以 便因此抑制在连铸坯的核心区域内的多孔性或偏析。这种强化冷却然而限于连铸坯引导装 置的上部区域。发明内容本发明的目的在于进一步改善连铸的...
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