技术编号:33622939
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及mocvd设备相关技术领域,具体涉及一种成膜装置。背景技术.金属有机物化学气相沉淀(metal organic chemical vapor deposition,简称mocvd)是以ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种ⅲ‑v族、ⅱ‑ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常mocvd系统中的晶体生长都是在常压或低压(-torr)下在成膜装置内进行。.其中,成膜装置是由石英管...
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