技术编号：3364546

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本发明涉及通过化学蒸气沉积(CVD)生产氮化硅膜及氧氮化硅膜的方法。现有技术的描述氮化硅膜展示出优异的阻挡层性质和优异的抗氧化性能并因此而例如在如微电子器件的制造中被用于制造蚀刻停止层、阻挡层、栅极绝缘层和ONO多层膜。现在使用的生成氮化硅膜的主要技术是等离子体增强CVD(PECVD)和低压CVD(LPCVD)。在PECVD中，将硅源物质(典型的是硅烷)和氮源物质(典型的是氨，但近来是氮)引入一对平行板电极之间并在低温(约300℃)和中等压力(0.1到5托...
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