技术编号：3364640
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，更具体地，本发明涉及一种。背景技术在半导体制造工艺中，采用光刻工艺在晶圆上形成所需的各种图案。光刻工艺大致包括以下8个步骤清洗、脱水和晶圆表面成底膜处理；旋转涂胶；烘烤处理；对准和曝光处理；曝光后烘焙；显影处理；坚膜烘焙和显影后检查。显影处理是利用化学显影液对由曝光造成的光刻胶的可溶解区域进行溶解，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。实施显影处理的装置包括用于支撑待显影处理的晶圆的旋转卡盘；将显影液喷涂到晶圆上的喷头；以及...
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