技术编号:33648146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于微纳制造技术领域,具体涉及一种具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜的制备方法及其产品和应用。背景技术.随着社会的快速发展,铁电材料在能量转化与收集、微电子、生物传感、铁电存储等技术领域具有越来越重要的运用。聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(p(vdf-trfe))作为经典的高分子铁电材料具有较好的铁电性能的同时,还兼具良好的柔韧性、稳定的化学性质、易加工、易集成等特点。基于其优异的性质,p(vdf-trfe)铁电薄膜在能量收集、生物传感以及信息存储等方面都有着巨大的应用价值和优势。....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。