技术编号：33648596
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开总体涉及气体分配系统和设备。更具体地，本公开涉及在半导体器件制造期间使用的气体分配系统。背景技术.在半导体制造过程中，源气体通常经由位于衬底(例如晶片)上方的气体输送孔流入反应室。在源气体流动期间和/或之后，启动真空以通过排气端口从反应室中移除气体或其他副产物。然而，排气端口通常位于反应室内的一个位置，这产生了不均匀或偏置的废气流。这种不均匀的废气流模式会对沉积均匀性产生负面影响，从而导致晶片的电特性变差。发明内容.本技术的实施例可以提供一种气体分配系统，该气体分配系统具有向反应室...
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