技术编号：33700870
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氮化硅/氧化硅的d nand结构片的选择性蚀刻液技术领域.本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液。技术背景.闪存芯片技术中，d nand技术垂直堆叠了多层数据存储单元，在更小的空间内容纳更多的存储单元，可打造出同类nand技术三倍存储容量的设备，是存储芯片发展的必然趋势。.d nand工艺从层向层不断发展以获取更高的单位存储容量，其中氮化硅和氧化硅是交替层叠结构，磷酸从侧面快速蚀刻氮化硅层的同时对氧化硅层也有一定的腐蚀。蚀刻液需要对氮化硅具有较高...
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