技术编号:33704914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于薄膜材料的外延生长技术领域,涉及一种改善薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法,具体涉及一种改善水平液相外延生长薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法。背景技术.碲镉汞(hg-xcdxte)材料具有带隙可调、光学吸收系数大、载流子寿命长、电子迁移率高、工作温度高等特点,其卓越的性能使碲镉汞成为制造红外焦平面器件一种非常重要的材料,多年来一直是制备红外探测器的首选。.水平推舟式液相外延技术生长碲镉汞薄膜材料,因具有生长母液用量少、组分容易控制等优点,从而得到广泛的应用。石墨...
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