技术编号：3372607
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN基衬底材料制备，特别是一种。背景技术 GaN及其三元、四元合金(AlGaN，InGaN，AlInGaN)在可见光及紫外光电器件、高功率电子器件等方面显示出了广阔的应用前景。由于大尺寸的GaN体单晶材料很难得到，这些器件一般是在其它衬底上异质外延生长的。外延技术主要包括以下几种分子束外延(MBE)方法、金属有机化学汽相沉积(以下简称MOCVD)方法和卤化物汽相外延(HVPE)方法。通常在常用的衬底(如蓝宝石和6H-SiC)上生长的GaN膜是沿...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。