技术编号：33729372
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。制造半导体器件的方法和相应的半导体器件.优先权要求.本申请要求年月日提交的意大利专利申请no.的优先权，其内容在法律允许的最大程度上通过引用整体并入本文。技术领域.本说明书涉及半导体器件。.一个或多个实施例可以应用于例如汽车领域的半导体功率器件。背景技术.良好控制的爬电(creepage)距离是高压半导体器件封装中的期望特征。爬电距离表示在布置于其间的绝缘体的表面上测量的两种导电材料之间的最短路径。足够的爬电距离有助于在不同电压和“污染”水平下...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。