技术编号:33735409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器。背景技术.电子存储器包括易失性存储器和非易失性存储器,易失性存储器在断电的情况下会丢失存储数据,而非易失性存储器能够在断电的情况下存储数据。磁性随机存取存储器(magneto-resistive random access memory,mram)是非易失性存储器,与目前的非易失性存储器(例如闪速随机存取存储器)相比,mram存储速度更快且具有更好的耐用性;与目前的易失性存储器(例动态随机存取存储器和静态...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。