技术编号：33744431
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体传感器领域，具体为一系列基于高熵稀土锆酸盐的氧不敏感型负温度系数热敏材料(la.nd.sm.eu.a.)zro(a＝gd、dy、ho或er)。进一步，本申请提供为一种高熵锆酸盐负温度系数热敏电阻材料、其制备方法及其在半导体传感器领域中的应用，该热敏电阻材料在℃-℃范围内具有明显的负温度系数特性、稳定的高温老化特性，并且其电性能不随氧分压的变化而变化，具有氧不敏感特性。背景技术.与传统的贵金属电阻、热电偶相比，负温度系数(ntc)热敏电...
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