技术编号：33747438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种在半导体制造中的光刻工艺中，特别是用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐受性优异的保护膜的组合物。且涉及一种应用前述保护膜的附抗蚀剂图案的基板的制造方法和半导体装置的制造方法。背景技术.半导体制造中，在基板与其上所形成的抗蚀剂膜之间设置抗蚀剂下层膜、形成所需形状的抗蚀剂图案的光刻工艺是公知的。在形成抗蚀剂图案后进行基板的加工，作为其步骤主要使用干蚀刻，但也有根据基板种类，使用湿蚀刻的情况。专利文献中公开了一种防御半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含于分子中含有至少一组相互邻...
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