技术编号：3374824
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于使用低温沉积含碳硬掩膜的半导体基材制程。技术背景形成在晶态半导体晶片上的高速积体电路具有许多超浅半导体接面， 其是藉由将掺杂物离子植入源极及漏极区域的方式形成。植入的掺杂物并 由高温退火步骤活化，使大量的植入原子于晶态半导体晶格中具可替换性。前述后离子植入退火步骤是使用高效能的灯具作快速热处理(Rapid Thermal Process, RTP)来完成，以将整个晶片体积加热至非常高温一段短 暂的时间(例如，上升速率每秒约摄氏100-200度，...
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