技术编号：33762399
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体外延材料技术领域，特别涉及一种氮化硼范德华外延氮化镓微波材料及生长方法。背景技术.氮化镓高电子迁移率场效应管具有输出功率密度大、工作频率高、抗辐照等优点，在微波功率器件应用中具有显著优势，且正朝着大功率方向迅速发展，其中s波段输出功率已达到千瓦级，而功率密度也达到w/mm。然而受限于器件内部的热传输能力，射频状态下近结处产生的大量热量无法充分释放，造成氮化镓微波功率器件的本征大功率优势未得到充分发挥。有研究称，通过异质集成等技术将氮化镓微波功率器件转移至热导率更高的金刚...
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