技术编号：3376241
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及原子层沉积技术及二氧化钛的掺杂改性，具体涉及一种。背景技术半导体光催化材料在解决能源和环境问题方面有广阔的应用前景。半导体纳米TiO2因其化学性质稳定、无毒和能有效去除大气和水中的污染物而成为解决能源和环境问题的理想材料。然而，TiO2的禁带宽度较大(Eg = 3.2eV)，只有在波长小于387nm的紫外光下才能发生光催化反应，这意味着TiO2只能利用太阳光中的少量部分(约5% )，而在太阳光中占大多数的可见光(约45% )却无法利用。掺杂改性是...
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