技术编号：33782799
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种薄膜沉积方法和薄膜沉积设备。背景技术.背面金属化工艺对功率器件芯片的性能起着很重要的作用。目前，应用于igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)主流的背面金属化工艺主要采用磁控溅射工艺沉积叠层金属，例如铝/钛/镍钒/银的叠层。.现有的薄膜沉积方法中，在对晶圆背面(即，硅晶圆)进行预清洁步骤时，采用等离子体轰击晶圆背面的方式去除硅晶圆表面的自然氧化层，然后对预清洁后的晶圆背面进行铝金属层的磁控...
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