技术编号:33820306
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体地涉及一种半导体器件及其制造方法、温度检测电路。背景技术.在一些包含功率金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,简称mosfet)和控制电路的电源管理芯片中,由于功率mosfet发热较大,通常需要实时监测功率mosfet的温度。.目前,半导体芯片的温度检测通常利用pn结(pn junction)压降随温度变化的特性实现。该pn结可以是一个二极管,...
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