技术编号:33909913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。gan基垂直型肖特基二极管及其制备方法技术领域.本发明属于半导体集成电路设计及制造领域,特别是涉及一种gan基垂直型肖特基二极管及其制备方法。背景技术.近年来,宽禁带半导体——氮化镓(gan)因其优越的材料性能,广泛应用在功率和射频器件应用领域。垂直肖特基二极管,因具有良好的性能,引起了人们高度重视并广泛应用。该二极管的主要特点为:)开启电压低,损耗低;)易于设计,可以大幅简化电路。.然而,现有的垂直氮化镓肖特基二极管也存在明显的缺陷:)耐压能力不足;)反向加压时,容易产生较大的漏...
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