技术编号:33937018
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种双源共蒸制备insei膜的方法技术领域.本发明涉及x射线探测技术领域,尤其涉及一种双源共蒸制备insei膜的方法。背景技术.x射线探测器被广泛应用于医疗影像、工业探伤、材料分析等领域。近年来,低维金属卤化物材料因其优越的光电性能而备受关注。其中,一维晶体结构的金属卤化物材料更容易制备出具有沿着一维链方向生长并具有柱状晶的厚膜,在闪烁体面阵探测领域有很大的应用。但是对于具有一维结构的金属卤化物在直接型x射线探测器中的研究较少,如insei,利用insei材料制备直接型x射线探测器的研究尚无...
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