技术编号:33944885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及电池技术领域,特别涉及一种异质结晶硅电池以及一种异质结晶硅电池的制备方法。背景技术.现有技术中tco膜层作为电池双面的透明导电膜,它本身对光有吸收作用,这部分被吸收的光无法进入硅基或pn结产生光生载流子,削弱了电池电流密度,降低了电池转换效率。发明内容.本发明的一个目的是提供一种能够提高电池转换效率的异质结晶硅电池。.为达到上述目的,本发明提供了一种异质结晶硅电池,其包括:.n型硅基体,其正面和背面均设有本征非晶硅层;.n型硅材料层,其连接于所述n型硅基体的正面的所述本征...
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